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太平洋電腦網 4小時前

曝 20 周年紀念版 iPhone 將引入 HBM 存儲 增強端側 AI 性能

【太平洋科技快訊】5 月 15 日,據相關爆料透露,蘋果正研發多項技術用于 2027 年推出的 20 周年版 iPhone。其中,HBM ( 高帶寬內存 ) 技術是關鍵發展方向,該技術有望大幅提升 iPhone 的性能,尤其是在設備端人工智能 ( AI ) 方面。

HBM,全稱為 High Bandwidth Memory ( 高帶寬內存 ) ,是一種基于 3D 堆疊技術的全新高性能 DRAM。它利用 TSV ( 硅通孔 ) 工藝將多個內存芯片垂直堆疊,在提高數據吞吐量的同時降低功耗并縮小內存芯片體積。與傳統的 2D 內存相比,HBM 通過立體互聯實現了更高的集成度和更快的讀寫速度。

蘋果計劃將移動 HBM 與 iPhone 的 GPU 單元連接,以增強設備端的 AI 計算能力。這項技術對于運行端側 AI 大模型至關重要,不僅可以避免電量過快耗盡,還能顯著降低計算延遲。HBM 與處理器通過相同的 Interposer 中間介質層實現緊湊連接,這種設計既節省了芯片面積,又減少了數據傳輸時間。

據稱,蘋果已與三星電子和 SK 海力士等主要內存供應商就 HBM 內存供應計劃進行了討論。三星正在開發 VCS 的封裝方案,而 SK 海力士則采用 VFO 技術,兩家公司都計劃在 2026 年后實現 HBM 內存的量產。

盡管 HBM 內存技術優勢明顯,但在移動設備中的應用仍面臨諸多挑戰。HBM 的制造成本遠高于現有的 LPDDR 內存。作為一款輕薄設備,iPhone 的散熱問題將是一個重要考驗。此外,3D 堆疊和 TSV 工藝采用高度復雜的封裝工藝,良率也是一個不容忽視的挑戰。

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